0~50V 0~5000A Sursă de alimentare din silicon policristalin Imagine prezentată

0~50V 0~5000A Sursă de alimentare cu silicon policristalin

Descriere produs:

Specificatii:

Parametri de intrare: 3 faze, AC480V±10%, 60HZ

Parametri de ieșire: DC 0~50V 0~5000A

Mod de ieșire: Ieșire comună DC

Metoda de răcire: răcire cu aer/răcire cu apă

Tip de alimentare: bazat pe IGBT

Industria de aplicare: Siliciu policristalin de reducere a presiunii și reducerii cuptorului, creșterea cristalelor

Dimensiune produs: 87*82,5*196cm

Greutate neta: 460 kg

Trimiteți-ne un e-mail

Caietul de sarcini
Tip robinet	Baterii pentru chiuveta de baie,
Tip de instalare	Centerset,
Găuri de instalare	O gaură,
Numărul de mânere	un singur maner,
Termina	Ti-PVD,
Stil	Ţară,
Debitul	1,5 GPM (5,7 l/min) max,
Tip supapă	supapă ceramică,
Comutator la rece și la cald	Da,
Dimensiuni
Înălțimea totală	240 mm (9,5 "),
Înălțimea gurii	155 mm ( 6,1 " ),
Lungimea gurii	160 mm ( 6,3 " ),
Centru robinet	O singură gaură,
Material
Material corpul robinetului	Alamă,
Material pentru robinet	Alamă,
Material pentru mânerul robinetului	Alamă,
Informații despre accesorii
Supapa inclusa	Da,
Dren inclus	Nu,
Greutăți
Greutate netă (kg)	0,99,
Greutate de livrare (kg)	1.17,

caracteristică

Parametrii de intrare

Intrare AC 480v±10% 3 faze
Parametri de ieșire

DC 0~50V 0~5000A reglabil continuu
Putere de ieșire

250KW
Metoda de răcire

răcire forțată cu aer / răcire cu apă
PLC analog

0-10V/ 4-20mA/ 0-5V
Interfață

RS485/ RS232
Modul de control

design telecomandă
Afișare pe ecran

afișaj digital
Protecții multiple

lipsă supraîncălzire fază supratensiune supracurent scurtcircuit
Calea de control

PLC/ Microcontroler

Model și date

Numărul modelului	Ondulări de ieșire	Precizia actuală de afișare	Precizia afișajului în volți	Precizie CC/CV	Creștere și coborâre	Depășire
GKD50-5000CVC	VPP≤0,5%	≤10mA	≤10mV	≤10mA/10mV	0~99S	No

Aplicații ale produsului

Polisiliciul este o formă de siliciu elementar. Când siliciul elementar topit se solidifică în condiții de suprarăcire, atomii de siliciu sunt aranjați în multe nuclee de cristal sub forma unei rețele de diamant. Dacă aceste nuclee de cristal cresc în granule cu orientări diferite ale planului cristalin, atunci aceste granule se combină pentru a cristaliza în siliciu policristalin.